trench工艺与sgt工艺优缺点
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优点
1、
VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋,几乎不需要挖地基纯 平面架构特点:成本高,雪崩强,内阻抗大,ESD能力强,属于纯力量型选手。
2、
Trench工艺,俗称潜沟槽工艺,就好比我们农村的楼房,需要挖地基到一定深度,同样的使用面积所需要的地皮少,相比平面工艺,成本略低, 同电压平台,内阻略小,电流大,输出能力强,反之抗冲击能力也更弱,速度与力量的结合。
3、
SGT工艺,俗称深沟槽工艺,就好比现在城市的高楼大厦,需要挖的地基特别深
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