碳化硅器件跟半导体芯片的区别

区别在于碳化硅器抗氧化性，和抗碱行远强于半导体芯片。

1、抗化合性:当碳化硅材料在氧气中炮炼到1300℃时，在其碳化硅晶体表层已经生成二化合硅保护层。跟着保护层的加厚实，抵制了里面碳化硅继续被化合，这使碳化硅有较好的抗化合性。当气温达到1900K(1627℃)以上时，二化合硅保护膜已经被败坏，碳化硅化合效用加重，从而1900K是碳化硅在含化合剂氛围下的较高工作气温。

2、耐酸碱性:在耐酸、碱及化合物的效用方面，因为二化合硅保护膜的效用，碳化硅的抗酸能力非常非常强，抗碱性稍差。