mos管速度饱和电流公式

直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）

先求出传递函数，可以用节点电压法：

设C1上端的节点电压为U1，运放同相端电压为U+，反相端电压为U-，则：

u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0 (1)

u+=u1*R3/(R3+1/SC2) =u1*jwT32/(jwT32+1) （2）

式中，w=2*3.14*f 是角频率

T32=R3*C2 是同相端时间常数

u-=u0*R/(Rf+R) （3）

设运放放大倍数是无穷大，则有

u+=u-

即（2）=（3）

u1*jwT32/(jwT32+1)=u0*R/(Rf+R)

u1=u0*K(jwT32+1) /jwT32 (4)

式中，令：K=R/(R+Rf） 为负反馈系数

(4)代入(1)

u0*K(jwT32+1) /(jwT32 )*(1/R1+jwC1+jwC2(1+T32)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0

u0*[K(jwT32+1) /(jwT32 )*(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1]=uiR3

u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

整理一下写为：

u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

2、 由传递函数转折频率 fL，fH，得出系数T，q

根据 u0*[(*jw)^2+ B*jw+C]=ui*R3jwT32

令特征多项式 (jw)^2+ B*jw+C)=0

方程的两个根应为：w1= 2*3.14*20MHZ

w2=2*3.14* 30MHZ

对应的转折频率就为20Mhz和30Mhz，即

(W-2*3.14*30M)(W-2*3.14*20M)=0

W^2-2*3.14*50M*W+4*3.14^2*600*M^2=0

得

B= -2*3.14*50M

C=4*3.14^2*600*M^2

待回方程 u0*[(jw)^2+ B*jw+C)=ui*R3jwT32

即 u0*[K(jwT32+1) *(R3+jw(C1+C2)R1R3+R1)-R1jwT32 ]=ui*R3jwT32

对应系数列出方程，便可的 电阻电容参数。

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2

晶体管迁移率=晶体管实际迁移数量÷晶体管计划迁移数量