场效应管与可控硅外表区别

1、微件不同：

场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。

2、放大系数：

场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差可控硅是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。

3、输入电阻：

场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）而可控硅工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比可控硅的输入电阻高。

4、性能不同：

场效应管只有多子参与导电可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。