露笑科技碳化硅长晶炉质量
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露笑科技在碳化硅晶体生长的长晶炉上具有较强的实力。公司凭借在蓝宝石业务上的深厚积淀,已突破以下几项碳化硅长晶炉及长晶环节关键技术:
(1)、完成6寸石英管式碳化硅晶体生长炉开发,以独特密封结构解决设备高真空度获取与长时间保持的难题,极限真空<210-5Pa,具备工程化使用条件。
(2)、完成大尺寸碳化硅单晶制备相关理论的研究,通过计算机模型辅助计算,形成了单晶制备过程物质与热量传输、缺陷演变的基本规律,解决了热场均匀性差、大尺寸单晶应力聚集、单晶扩径难等问题,为6寸及以上半绝缘碳化硅晶体的制备打下了坚实基础。
(3)、解决晶型生长控制难、微管密度大、晶体背向腐蚀严重等难题,提升了单晶质量,通过长晶过程中的除杂工艺实现了高电阻率晶体生长。
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