场效应管有哪几种参数

有以下几种参数：

开启电压UT （MOSFET)、夹断电压UP （JFET）、饱和漏极电流IDSS （JFET）、直流输入电阻RGS、跨导Gm和最大漏极功耗。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

VDSS----最大-耐压

VDGR----栅漏耐压

VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压)

VGSM---控制栅最大电压

ID---------漏极最大电流

tr----------最大工作频率(或叫响应速度)

RDS(on)--D/S导通电阻

使用者注意以上参数便行。