pn结内电场阻碍什么促进什么

阻止的是多数载流子的扩散，促进的是少数载流子的漂移

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。

另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。

最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。

PN结不是本征半导体（不存在多子或者少子，它是成对存在的），是杂质半导体，即加五价的磷或者三价的硼，加五价的磷构成N型半导体（多子为自由电子），加三价的为P型半导体（多子为空穴），杂质半导体中浓度的不同会产生扩散运动，在内电场作用下少数载流子的运动叫漂移运动，扩散运作到达一定程度时，会在半导体中间产生一个空间电荷区，即内电场，内电场会阻碍多子的运动，举个P型半导体例子，P区多子是空穴，中间区域得到电子后呈负电荷，排斥空穴的扩散，N型多子为自由电子，中间区域失去电子呈正电荷，同样会排斥自由电子的扩散。少子则表现为吸引！