光蚀刻和化学蚀刻有什么区别

光蚀刻，简称光刻，主要是应用于制作印片或电器的线路板等。利用照相手段制作抗蚀膜像，用来保护表面，在金属、塑料等上面，借助腐蚀剂进行腐蚀的方法。应用于制作印片或电器的线路板等。

化学蚀刻指通过制版曝光、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时使金属接触化学溶液，使用两个阳性图形通过从两面的化学研磨达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果，化学蚀刻是很有针对性的，是专指受控腐蚀，是金属通过化学方法进行一种可以控制的加工方法。蚀刻分干蚀刻和湿蚀刻。干蚀刻技术又分为反应离子蚀刻（RIE）、溅射蚀刻和气相蚀刻。

光蚀刻是指使掩膜后的暴露部分通过光化学反应清除掉，往往后续还用到其它方式进步腐蚀.化学蚀刻则是指化学反应对暴露部分进行腐蚀清除.