a29t三极管参数
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A29T基本参数:VDS = 30V, ID =5.8A,RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V。
a29t是N沟道MOS场效应三极管,采用先进的沟槽技术,高密度、低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置,最大功率1.4W。
a29t三极管主要参数:
漏源电压(VDS ):30 V
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A29T基本参数:VDS = 30V, ID =5.8A,RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V。
a29t是N沟道MOS场效应三极管,采用先进的沟槽技术,高密度、低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置,最大功率1.4W。
a29t三极管主要参数:
漏源电压(VDS ):30 V