lcd生產工程品質分析流程

一、TFT-LCD的製造工藝流程有以下幾部分

①、在TFT基板上形成 TFT 陣列

②、在彩色濾光片基板上形成彩色濾光圖案及 ITO 導電層

③、用兩塊基板形成液晶盒

④、安裝外圍電路、組裝背光源等的模組組裝。

二、在 TFT基板上形成TFT陣列的工藝

現已實現產業化的 TFT 類型包括：非晶硅 TFT （ a-Si TFT ）、多晶硅 TFT （ p-Si TFT ）、單晶硅 TFT(c-Si TFT) 幾種。目前使用的仍是 a-Si TFT 。

a-Si TFT的製造工藝如下：

①、先在硼硅玻璃基板上濺射柵極材料膜，經掩膜曝光、顯影、幹法蝕刻後形成柵極佈線圖案。一般掩膜曝光用步進曝光機。

②、用 PECVD 法進行連續成膜，形成 SiNx 膜、非摻雜 a-Si 膜，摻磷 n+a-Si 膜。然後再進行掩膜曝光及幹法蝕刻形成 TFT 部分的 a-Si 圖案。

③、用濺射成膜法形成透明電極（ ITO 膜），再經掩膜曝光及溼法蝕刻形成顯示電極圖案。

④、柵極端部絕緣膜的接觸孔圖案形成則是使用掩膜曝光及幹法蝕刻法。

⑤、將 AL 等進行濺射成膜，用掩膜曝光、蝕刻形成 TFT 的源極、漏極以及信號線圖案。用 PECVD 法形成保護絕緣膜，再用掩膜曝光及幹法蝕刻進行絕緣膜的蝕刻成形， ( 該保護膜用於對柵極以及信號線電極端部和顯示電極的保護 ) 。

TFT陣列工藝是 TFT-LCD製造工藝的關鍵 ， 也是設備投資很多的部分，整個工藝要求在很高的淨化條件（例如 10 級）下進行。

三、 在彩色濾光片（ CF ）基板上形成彩色濾光圖案的工藝

彩色濾光片着色部分的形成方法有染料法、顏料分散法、印刷法、電解沉積法、噴墨法。目前以顏料分散法爲主。

顏料分散法的是將顆粒均勻的微細顏料（平均粒徑小於 0.1 μ m ） (R 、 G 、 B 三色 ) 分散在透明感光樹脂中。然後將它們依次用塗敷、曝光、顯影工藝方法，依次形成 R. G. B 三色圖案。在製造中使用光蝕刻技術，所用裝置主要是塗敷、曝光、顯影裝置。

爲了防止漏光，在 RGB 三色交界處一般都要加黑矩陣（ BM ）。以往多用濺射法形成單層金屬鉻膜，現在也有改用金屬鉻和氧化鉻複合型的 BM 膜或樹脂混合碳的樹脂型 BM 。

此外，還需要在 BM 上製作一層保護膜及形成 IT0 電極 ， 由於帶有彩色濾光片的基板是作爲液晶屏的前基板與帶有 TFT 的後基板一起構成液晶盒。所以必須關注好定位問題，使彩色濾光片的各單元與 TFT 基板各像素相對應。