光刻技術是否涉及化學變化

光刻技術涉及化學變化。

光刻技術是化學、物理變化都有。

集成電路製造中利用光學－化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨着半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級，已從常規光學技術發展到應用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術使用波長已從4000埃擴展到0.1埃數量級範圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。