砷化鎵氮化鎵氧化鎵有什麼區別

砷化鎵是第二代半導體，氮化鎵是第三代半導體材料，氮化鎵的温度和頻率特性都優於砷化鎵。

氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由於氮化鎵器件的功率密度較高，因此可以提供更大的帶寬、更高的放大器增益，並且由於器件尺寸的減少，還可提高效率。氧化鎵是一種無機化合物，化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體