trench工藝與sgt工藝優缺點

優點

1、

VDMOS純平面工藝就好比我們小時候的土屋，幾乎不需要挖地基純 平面架構特點:成本高，雪崩強，內阻抗大，ESD能力強，屬於純力量型選手。

2、

Trench工藝，俗稱潛溝槽工藝，就好比我們農村的樓房，需要挖地基到一定深度，同樣的使用面積所需要的地皮少，相比平面工藝，成本略低， 同電壓平台，內阻略小，電流大，輸出能力強，反之抗衝擊能力也更弱，速度與力量的結合。

3、

SGT工藝，俗稱深溝槽工藝，就好比現在城市的高樓大廈，需要挖的地基特別深