可控硅炸裂的原因

1、電壓擊穿

可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。

2、電流損壞

電流損壞的痕跡特徵是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上