高温磷酸去除氮化硅原理 心理 关注:7.3K次      高温磷酸去除氮化硅原理:用热磷酸湿法刻蚀法去除氮化硅。       将85%浓磷酸和15%去离子水(DIW)配成并保持在160℃的温度下混合液体进行刻蚀,热磷酸刻蚀之后的芯片一般采用对镀膜后的硅片进行热去离子水清洗除膜,从而去除氮化硅。 标签: 磷酸 氮化硅 文章版权属于文章作者所有,转载请注明 https://rmnxw.com/zh-my/lvse/xinli/4lq26m.html