溼法處理樣品的溶劑是

磷酸刻蝕液由純磷酸和去離子水組成，工作溫度為160攝氏度。主要功能是用來刻蝕氮化矽膜及其下面的氧化膜。其對氮化矽膜的刻蝕速率是55A/Min，對氧化膜的刻蝕速率是1.7-10A/Min。該刻蝕液的反應速率主要取決於反應溫度和溶液中水的含量。

其反應機理如下：

Si3N4 6H2O----->3SiO2 4NH3 （需要用H3PO4作催化劑） 晶圓在磷酸刻蝕液反應槽裡反應後必須被傳送到熱的去離子水槽裡進行清洗，否則易受到熱應力的破壞而造成破片。