半導體和第三代半導體區別

自從上世紀五十年代以來，半導體產業已經發展為第三代。主要是材料不同。

第一代半導體材料以矽（Si）、鍺（Ge)為主。

第二代bd半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦(lnP)為主。

第三代半導體材料以碳化矽（SiC）、氮化鎵（ZnO）、金剛石（C）為代表。

其實，第三代和第一代，第二代半導體並不是替代關係，而是因其不同的特性適用於不同領域。它們的應用範圍有交叉但並不等同。