電荷耦合效應

其效應是利用CCD（電荷耦合器件）的雛形是在N型或 P型矽襯底上生長一層二氧化矽薄層，再在二氧化矽層上澱積並光刻腐蝕出金屬電極，這些規則排列的金屬-氧化物-半導體電容器陣列和適當的輸入、輸出電路就構成基本的 CCD移位暫存器。

對金屬柵電極施加時鐘脈衝，在對應柵電極下的半導體內就形成可儲存少數載流子的勢阱。可用光注入或電注入的方法將訊號電荷輸入勢阱。

然後週期性地改變時鐘脈衝的相位和幅度，勢阱深度則隨時間相應地變化，從而使注入的訊號電荷在半導體內作定向傳輸。CCD 輸出是通過反相偏置PN接面收集電荷，然後放大、復位，以離散訊號輸出。

通過將一定規律變化的電壓加到ccd板上各電極上，電極下的電荷包就能沿半導體表面按一定向移動。通常把CCD的電極分為幾組。電荷也不能從一個電極向另一個電極完全轉移，CCD便不能在外部驅動脈衝作用轉移電荷。每一組稱為一相，並施加同樣的時鐘驅動脈衝叫作電荷耦合效交。