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3200内存时序多少好

3200内存时序多少好

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ddr4内存时序参数3200(16)8G×16,CL 16-16-16 1.35V为好,不过根据不同品牌体质的内存有不同的 差异。 

ddr4内存时序多少为好 1、ddr4内存时序参数3200(16)8G×16,CL 16-16-16 1.35V为好,默认DDR4 2133,1.2V,加载XMP可以直接提升频率 为DDR4 3200 16-16-16-36 2T,高频下的电压为1.35V 2、ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序,首先应该从调整第二时序入手,放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率ddr4 内存与ddr4、ddr42内存不同,第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不 大,可以适当放宽以提高超频后的稳定性,tRRD对性能的影响则比较大,尽量避免牺牲tRRD来换取高频第三时序虽然不起眼而且经常被 遗忘,但是其对性能的影响也不小。

标签: 内存 时序
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