p型半导体空穴的来源

1、p型半导体空穴的来源于杂质原子。

2、P型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

3、在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

掺入的硼（B）为离子，在其代替硅原子后，使半导体整体表现为空穴多于电子，也就是说，P型半导体中硅的电子没有消失，只不过硅里面增加了具有空穴的掺杂离子。同理，N型半导体也是一样的。