砷化镓氮化镓氧化镓有什么区别 心理 关注:2.25W次 砷化镓是第二代半导体,氮化镓是第三代半导体材料,氮化镓的温度和频率特性都优于砷化镓。 氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高,因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益,并且由于器件尺寸的减少,还可提高效率。氧化镓是一种无机化合物,化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓,是一种宽禁带半导体 标签: 砷化镓 氧化 氮化 文章版权属于文章作者所有,转载请注明 https://rmnxw.com/lvse/xinli/9169k0.html