长江存储芯片多少纳米制程
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长江存储的3D NAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。闪存颗粒并不像手机芯片那样,对纳米工艺要求那么高。3D flash的堆叠层数和存储密度更为重要,相反更大的制程,耐久度更高。flash本来就是消耗品,使用寿命是非常重要的。所以20nm制程足够了。
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长江存储的3D NAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。闪存颗粒并不像手机芯片那样,对纳米工艺要求那么高。3D flash的堆叠层数和存储密度更为重要,相反更大的制程,耐久度更高。flash本来就是消耗品,使用寿命是非常重要的。所以20nm制程足够了。