lpcvd设备的主要功能
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LPCVD设备是一种用于物理学、电子与通信技术领域的工艺试验仪器,于2005年8月17日启用。
主要功能:淀积多晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化硅等薄膜材料。
技术指标:淀积薄膜厚度600A-20000A,极限真空优于1Pa,淀积薄膜片内均匀性:Si3N4±3%多晶硅±4%,SiO2±3%。
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LPCVD设备是一种用于物理学、电子与通信技术领域的工艺试验仪器,于2005年8月17日启用。
主要功能:淀积多晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化硅等薄膜材料。
技术指标:淀积薄膜厚度600A-20000A,极限真空优于1Pa,淀积薄膜片内均匀性:Si3N4±3%多晶硅±4%,SiO2±3%。