- PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底,其中的多数载流子是空穴,少数载流子是电子,源漏区的掺杂类型是P型,所以,PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子。而在衬底感应的是可运动的正荷空穴和带固定正电荷的耗尽层,不考虑二...
- 25109
- pmos是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管,全称为positivechannelMetalOxideSemiconductor,别名为positiveMOS。金属氧化物半导体场效应晶体管可分为N沟道与P沟道两大类。P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上...
- 24654
- PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。PMOS管当开关使用时,控制端加上拉电阻的目的是当没有输入信号时,使控制极处于稳定电平状态,确保PMOS管截止。还有处理器IO口、光耦输出、某些反相器等增加上拉电阻的目的也是一样的,为了确定电平状态,减少干扰和误差。...
- 4512
- 负极Pmos管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,一般用于管理电源的通断,属于无触点开关,栅极低电平就完全导通,高电平就完全。...
- 19053