![NMOS晶体管的工作原理是什么呢]( "NMOS晶体管的工作原理是什么呢")
- NMOS晶体管的工作原理：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝...
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![nmos电流从哪流出]( "nmos电流从哪流出")
- nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。如果NMOS的源极不接衬底，不接到地，那么只要是G-S正偏就可以，Vgs大于门槛电压，MOS就可...
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![nmos栅极悬空会导通吗]( "nmos栅极悬空会导通吗")
- MOS管经常用于电路的开关控制，通过改变栅极(gate)的电压来使漏级(drain)和源级(source)导通或截断。MOS管栅极悬空：Vg输入高时，N管会导通，使得P管的栅极为低，P管的DS导通。Vg为高阻态时，Vout输入不定，检查发现P管的栅极电压变化不定。因此，MOS管的栅极不能悬空。P管应该有一个上...
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![nmos管输出是高还是低]( "nmos管输出是高还是低")
- 高电平输入，输出为低电平低电平输入，输出为高电平。导电沟道的形成当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏...
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