![lpcvd工藝原理]( "lpcvd工藝原理")
- 原理如下   lpcvd工藝原理也是半導體行業中的一種標準工藝，CVD工藝製備光波導的流程，它是在硅基片（或者石英基片）上相繼沉積具有不同摻雜層的光波導層，比如芯層透過摻磷、硼來提高折射率，包層透過摻鍺來降低折射率。   在沉積芯層之後與沉積上包層之前...
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![lpcvd設備的主要功能]( "lpcvd設備的主要功能")
- LPCVD設備是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年8月17日啓用。主要功能：澱積多晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化硅等薄膜材料。技術指標：澱積薄膜厚度600A-20000A，極限真空優於1Pa，澱積薄膜片內均勻性：Si3N4±3%多晶硅±4%，SiO2±3%。...
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