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pbti效應
指的是在一定温度條件下，在晶體管柵極施加偏置電壓時，晶體管的電學特性發生閾值電壓飄移、飽和電流及跨導減小等退化的效應。隨着柵極長度不斷縮小和氧化層厚度的不斷減薄，半導體器件的偏壓温度不穩定性的影響越發顯著，已成為器件退化的主要因素之一。因此，對器件偏壓温度不穩...
2024-01-2222584

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