![mos管截止失真的原因和解决方法]( "mos管截止失真的原因和解决方法")
- 1、D，S两端电压过大MOS管的漏极D和源极S之间有一个耐压范围，在选型时Vds的耐压必须大于正常工作时的电压，如果两端电压过大，则MOS管会被击穿，这种失效方式称为“雪崩击穿”。MOS管失效的常见原因及预防措施预防措施：选型时给VDS留够余量，比如系统中DS两端的电压最大是48V，则最好...
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![锂电池保护板mos管如何激活]( "锂电池保护板mos管如何激活")
- 步骤：不能使用高电压来激活锂电池，因为它的保护板的保护电压是有上下限的。高电压会烧坏保护板上的mos管，锂电池的激活需要将充电器的正负极直接对电池的正负极充电。当电压升到保护板的下线电压后，保护板就会正常工作，正常进行充放电了。...
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![用万用表怎么区分mos管和可控硅]( "用万用表怎么区分mos管和可控硅")
- 区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0，然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。MOS是高阻抗的控制元件，G可以控制DS的电流大小可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。他不能够控制电流的大小...
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![最大的mos管是哪个]( "最大的mos管是哪个")
- KIAKIA半导体，全称是深圳市可易亚半导体科技有限公司。主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。...
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![MOS管如何区分增强型和耗尽型]( "MOS管如何区分增强型和耗尽型")
- 先说结论，MOS管主要通过外观和形状来区分增强型和耗尽型。MOS管是建筑水电行业通常用到的原材料之一，如区分增强型和耗尽型要从MOS管的外观和形状上来看。通常条件下，当MOS管的外观比较大的时候，通常是增强型的，外观小就是耗尽型。1、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加...
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![zvs电路用啥mos管]( "zvs电路用啥mos管")
- MOS管是ZVS的核心，是ZVS中最重要的部分之一，管子的选用往往关系着电路的效率、工作电压、最大功率及耐虐性能，所以选择mos管很重要、根据电源的供电选择合适的MOS管也是很重要的。一般大家做ZVS都用IRFP250或260，IRFP250耐压200V耐流30A，可以作平常电压（约8~50V）和功率（极限214W）...
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![mos管速度饱和电流公式]( "mos管速度饱和电流公式")
- 直接用电路分析法就可求得：（用滤波器公式当然更快）先求出传递函数，可以用节点电压法：设C1上端的节点电压为U1，运放同相端电压为U+，反相端电压为U-，则：u1(1/R1+jwC1+SC2/(1+jwR3C2)+1/R3)-ui/R1-U0/R3=0(1)u+=u1*R3/(R3+1/SC2)=u1*jwT32/(jwT32+1)（2）式中，w=2*3.14*f是角频率T32=R3*C2...
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![mos在奶粉中的作用]( "mos在奶粉中的作用")
- 母乳低聚糖（humanmilkoligosaccharides，HMOs）是人类母乳中的第三大固体组分，仅次于乳糖和脂肪，其具有重要的生物学功能，不仅对肠道病原微生物起到抗感染的作用，还能维持肠道微生态的平衡等。mos模拟母乳低聚糖就是模仿的母乳里面这个成分，添加了可以让奶粉更易消化是低聚半乳糖，低...
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![十种常用mos管驱动电路]( "十种常用mos管驱动电路")
- 1、PWM芯片直接驱动MOSFET2、开通和关断速度分开控制的MOSFET驱动电路3、带图腾柱扩流的MOSFET驱动电路4、使用TL494，SG3524内部的输出电路采用的单端集电极和射极开路的驱动电路5、使用光耦隔离的驱动电路（原原理图有误，Q1Q2位置对调）6、使用光耦隔离的带负压关断驱动电路：（原...
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![p沟道mos管导通条件]( "p沟道mos管导通条件")
- P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开...
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![同步整流mos管的工作状态]( "同步整流mos管的工作状态")
- 工作状态是导通。同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOS，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流...
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![mos场效应管怎么看型号]( "mos场效应管怎么看型号")
- 箭头向内看作pnp(外面是p)所以是n沟道箭头向外看作npm(里面是p)所以是p沟道。场效应管型号按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强...
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![mos是什么词根]( "mos是什么词根")
- mos是mosquito的词根，mosquito中文意思是“蚊子”Inrecentdecades，mosquitovectorsofchikungunyahavespreadtoEuropeandAmerica.最近几十年，基孔肯雅热的蚊子媒介已传播到欧洲和美洲。Inacommonitchlikeamosquitobite，cellsintheskinreleaseachemicalcalledhistamine....
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![MOS管可以直接用电源驱动嘛]( "MOS管可以直接用电源驱动嘛")
- MOS管分为N沟道与P沟道两种，N沟道用于电源负极的控制，P沟道用于电源正极的控制，两者直接的控制信号电压也存在区别。对于NMOS来讲，当栅极与源极的电压超过一定电压阈值的之后就会导通，PMOS与之相反。NMOS与PMOS还有一点比较大的区别，NMOS的导通内阻一般比PMOS要小一些，并且制造...
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![无刷电调用什么mos管]( "无刷电调用什么mos管")
- 无刷电调用Q1的mos管无刷电机的三相全桥驱动电路，使用六个N沟道的MOSFET管（Q1~Q6）做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/a3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。...
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![场效应管和mos管的区别]( "场效应管和mos管的区别")
- 一、主体不同1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。二、特性不同1、场效应：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工...
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![mos酸奶和花漾宣言奶昔哪个好]( "mos酸奶和花漾宣言奶昔哪个好")
- 花漾宣言奶昔好。适合小基数单纯减脂用，还能调节易瘦体质，恢复肌肤弹性，花漾宣言奶昔主要的成分是纯进口的，里面含有印度进口的白芸豆提取物、进口的壳寡糖等，印度进口的白芸豆提取物可以阻断淀粉分解，还可以减少葡萄糖吸收，进口的壳寡糖可以增强免疫功能，改善肠道组织形态，调节肠...
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![mos管栅极电压过高会怎么样]( "mos管栅极电压过高会怎么样")
- 由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。在测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏...
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![mos管2310跟7310的区别]( "mos管2310跟7310的区别")
- 2310和7310同为千位数，它们的唯一区别是千位数值的差别，相差5000。2310比7310小5000、7310比2310大5000。箭头向内看作pnp(外面是p)所以是n沟道箭头向外看作npm(里面是p)所以是p沟道。场效应管型号按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式...
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![mos管漏电流怎么解决]( "mos管漏电流怎么解决")
- 1、最简单的做法就是交换火线和零线的位置（如将两相插头转180度后再插入插座），这种方法一般很有效。因为有些用电器必须遵循“左零右火”的原则，插反后就会出现外壳漏电的现象。尤其是电脑及打印机等更要严格遵循这个原则。2、清扫电路板的灰尘，尤其是电源主板的灰尘。因为如...
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![平面mos管是什么]( "平面mos管是什么")
- 平面MOS管是MOSFET的缩写，MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。一般是金属、氧化物和半导体场效应晶体管，或者称是金属、绝缘体和半导体，MOS管的源极和耗尽层是可以对调的，他们都是在P型中形成的N型区，在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不...
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![mos管的动态参数包括哪些]( "mos管的动态参数包括哪些")
- mos管的动态参数如下gfs:漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度.Qg:栅极总充电电量ET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。Qgs:栅源充电电量.Td(on):导通延迟时间....
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![mos管EAS怎么理解]( "mos管EAS怎么理解")
- EAS是单脉冲雪崩击穿能量，它标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。如果电压过冲值（通常由于漏电流和杂散电感造成）未超过击穿电压，那器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过充电压的安全值，其依赖于雪崩击...
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![mos导通条件 pnp]( "mos导通条件 pnp")
- MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止...
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![mos限流电路原理]( "mos限流电路原理")
- mos限流保护电路工作原理：Q1和Q2构成互锁电路，即Q1导通时Q2截止，Q2导通时Q1截止。在上电之后，这两个晶体管的导通顺序由C1-R2-R3，C2-R1决定。即在上电之后，由于电容两端电压不能突变，Q1的基极电压将由电容C1负极电压VCC经过R2，R3逐渐减小至0V而Q2的基极电压将由C2负极电压VCC经过...
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