![ald工藝和pecvd工藝的對比]( "ald工藝和pecvd工藝的對比")
- ALD工藝直接在晶片表面堆積材料，一次沉積單層薄膜幾分之一的厚度，以儘可能生成最薄、最均勻的薄膜。工藝的自限特性以及共形沉積的相關能力，是其成為微縮與3D技術推動因素的基礎。自限式表面反應讓原子級沉積控制成為可能：薄膜厚度僅取決於執行的反應週期數。表面控制會使薄...
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![pecvd工序高溫危險源有哪些]( "pecvd工序高溫危險源有哪些")
- • 危險特性：易燃，與空氣混合能形成爆炸性混合物，遇明火、高熱能引起燃燒、爆炸，與氟、氯等接觸會發生劇烈的化學反應，若遇高熱，容器內壓增大，有開裂和爆炸的危險。危險類別：易燃易爆預防措施：不要在VMB附近逗留或倚靠，更不允許私自開啟櫃子應急處理：發生SiH4洩漏時，及時疏散車間...
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