光刻机的干刻与湿刻的优缺点

优缺点如下：

湿法刻蚀⼯艺的优点是设备简单，刻蚀速率⾼，选择性⾼。缺点是湿刻蚀刻剂化学物质去除了掩膜材料下⽅的基板材料，还需要⼤量的蚀刻剂化学物质。此外，必须⼀致地替换蚀刻剂化学物质，以保持相同的初始蚀刻速率。结果，与湿蚀刻有关的化学和处理成本⾮常⾼。⼲蚀刻的⼀些优点是其⾃动化能⼒和减少的材料消耗，⼲刻（例如，等离⼦蚀刻）的成本更低。缺点是干刻的光源波长精度不如湿刻，因为湿刻是利用纯水压缩了光源波长。

一种是干刻，一种是湿刻（目前主流），顾名思义，湿刻就是过程中有水加入，将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应，去掉不需要的部分，剩下的便是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分

优点

1、蚀刻度掩膜图案边缘的部位渐与蚀刻液接触，故蚀刻液也开始对蚀刻掩膜图案边缘的底部，进行蚀掏，这就是所谓的下切或侧向侵蚀现象 (undercut)。

2、该现象造成的图案侧向误差与被蚀薄膜厚度同数量级，换言之，湿蚀刻技术因之而无法应用在类似“次微米”线宽的精密制程技术