磷化镓的介绍
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化合物半导体磷化铟镓(GaP),电学性质优越。
磷化镓是第二代半导体材料,广泛应用于光通信、集成电路等领域。
5G 时代技术革新带来以磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料的蓬勃发展。
半导体材料按照物理性质可以划分三代,分别是以 Si、Ge 为代表的第一代,GaP、lnp、GaAs 为代表的第二代,GaN、SiC 为代表的第三代。
磷化镓(GaP)是一种 III~V 族化合物,闪锌矿型晶体结构,晶格常数为 5.87×10-10 m,禁带宽度为 1.34 eV,常温下迁移率为 3000~4500cm2/(V.S)。
GaP 晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高等诸多优点。
被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。
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磷化镓
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