- 砷化硼是新材料,人工合成,储量不多。最近《科学》杂志公布了立方砷化硼的一些信息。这种材料在实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率,有潜力成为比硅更优良的半导体材料。硼是十分重要的化工非金属战略矿产资源。全球含硼矿物150多种,工业利用的约20余种,单质硼...
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- 中国。砷化硼是一种半导体材料。研究表明,砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率(~1300Wm-1K-1),同时具有本征p型导电特性,并且可以长成毫米级的单晶。目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究。然而,从光电器件应用考虑,不论作为功能薄膜还是衬底,砷化硼都必须与...
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- 用途:1、复旦研制出具有超高导电率的砷化铌材料:可用于减轻电子设备发热2、砷化铌纳米带材料可用于减轻手机、电脑等电子设备的发热。3月19日消息,复旦大学修发贤团队发表的论文称,该团队已制备出具有较高电导率的砷化铌纳米带材料,同铜薄膜、石墨烯等材料相比,该砷化铌纳米带...
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- shēn  huà ní“化”,读音为huà,最早见于商朝甲骨文时代,在六书中属于会意字。铌ní(名)一种金属元素质硬银白色有光泽主要用于制耐高温、耐腐蚀的合金钢。也是一种良好的超导体。旧称钶(kē)。铌(铌)níㄋㄧˊ◎一种金属元素。铌能吸收气体,用作除气剂,也是一种良好...
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- 区别是:砷化镓是一种重要的半导体材料,为黑色固体,熔点1238°C。它在600°C以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。它制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪音小、抗辐射能力强等优点。而碳化硅又称金刚砂是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻炉高...
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- 碳化硅好。碳化硅是全球最先进的第三代半导体材料。和第一代的硅、第二代的砷化镓材料相比,它具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性,是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料,尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的优势。...
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- 砷的化学式是As.砷在化学元素周期表的位置正好位于磷的下方,正是由于两者化学习性相近,所以砷很容易被细胞吸收导致中毒。砷可区分为有机砷及无机砷,有机砷化合物绝大多数有毒,有些还有剧毒。另外有机砷及无机砷中又分别分为三价砷(As2O3)及五价砷(NaAsO3),在生物体内砷价数可互相...
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- 砷化镓是第二代半导体,氮化镓是第三代半导体材料,氮化镓的温度和频率特性都优于砷化镓。氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高,因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益,并且由于器件尺寸的减少,还可提高效率。氧化镓是一种无机化合物...
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- AsO43-离子,中心砷原子没有孤电子对,离子中有四个西格玛单键,所以该离子采用sp3杂化,因为没有孤电子对,所以空间构型为正四面体结果。...
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- 74.922砷在化学元素周期表的位置正好位于磷的下方,正是由于两者化学习性相近,所以砷很容易被细胞吸收导致中毒。砷可区分为有机砷及无机砷,有机砷化合物绝大多数有毒,有些还有剧毒。另外有机砷及无机砷中又分别分为三价砷(As2O3)及五价砷(NaAsO3),在生物体内砷价数可互相转变。...
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- 氧化镓和砷化镓是两种不同的物质。氧化镓化学式为Ga2O3,是一种透明的氧化物半导体材料。氧化镓是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV。砷化镓化学式为GaAs,为黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ...
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- 三氧化二砷俗称砒霜,化学式As2O3,是最具商业价值的砷化合物及主要的砷化学开始物料。它也是最古老的毒物之一,无臭无味,外观为白色霜状粉末。主要用于提炼元素砷,是冶炼砷合金和制造半导体的原料。玻璃工业用作澄清剂和脱色剂,以增强玻璃制品透光性。皮革工业用以制亚砷酸钠作...
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- 砷化镓是一种化合物半导体材料,分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构,即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格,其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV,是直接带隙半导体,熔点1238℃,质量密度5.307g/cm3,电容率13.18。砷化镓单晶的导带为双能谷结构,其最低能...
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- -3:砷化氢(AsH3),+3:三氧化物(As2O3)亚砷酸(H3AsO2)正砷酸盐(如Na3AsO3)、偏亚砷酸盐(如NaAsO2)和焦亚砷酸盐(如Na4As2O5)AsF3AsCl3AsBr3雄黄矿(As2O3、鸡冠石)、雌黄矿(As2S3)+5:五氧化物(AS2O5)+5。正砷酸(H3AsO4)、偏砷酸(HAO3)和焦砷酸(H4As2O7)AsF5、AsCl5砷属于N族,也就是VA族的,常见化合价为+...
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- 砒霜也就是三氧化二砷,它的分子式是As2O3由于As2O3是偏酸性氧化物,所以可以和氢氧化钠(NaOH)溶液发生如下反应:AS2O3+6NaOH=2Na3ASO3+3H2O离子方程式是:AS2O3+6OH-=2ASO3^3-+3H2O...
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-   砷化镓和过氧化氢反应方程式:GaAs+4NaOH+4H2O2=NaGaO2+Na3AsO4+6H2O。  砷化镓,化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。  过氧化氢(hydrogenperoxide),是一种无机化合物,化学式为H2O2。纯过...
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- 砷化镓是立方晶系闪锌矿型结晶结构。闪锌矿型结构,又称立方硫化锌型结构。属立方晶系,为面心立方点阵。属等轴晶系。晶体结构中B原子呈立方密堆积,A原子填充在B原子构成的四面体空隙中。A、B原子的配位数均为4。A、B原子间为共价键联系。...
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- 五氧化二砷易溶于水生成难溶于水的砷酸:As2O5是酸性氧化物,易溶于水,它是H3AsO4的酸酐五氧化二砷溶于水,和水反应,生成砷酸五氧化二砷,是一种无机化合物,化学式为As2O5,为易潮解的白色无定形固体,有剧毒。五氧化二砷不能像五氧化二磷那样由单质直接氧化得到,因为它在高温下会分解而...
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- 因为砷化镓具有半导体的性质。半导体,即价带和导带之间存在带隙,一般在1~3eV,通过热激发或者施加外电场可以使电子从价带跃迁至导带。砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料...
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- 砷化镓是一种无机化合物,化学式为GaAs,为黑灰色固体,是一种重要的半导体材料。可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化...
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- 亚砷酸英文通用名称Whitearsenic商品名称白砒化学名称白砒,砒霜其它名称三氧化二砷Arsenictrioxide结构式O=As—O—As=OCA登记号1327—53—3分子式As2O3分子量198.0理化性质亚砷酸为白色无味固体,以三种同分异构体存在,其中无定形固体不稳定,能恢复到八面体的形式...
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- 分子量:144.64。砷化镓,化学式GaAs。分子量144.64。深灰色立方晶体。比重5.4。熔点1,238℃。属Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体,禁带宽度和电子迁移率比元素半导体锗及硅的大,制成的器件有较好的耐高温特性及频率特性发光特性好及光电转换率高。高于600℃时被空气氧化,无氧化剂存在时仅...
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- 砷酸盐是所有带有砷酸盐离子(化学式:AsO43−)的化合物的统称,包括砷酸的所有盐和酯。砷酸盐中,砷原子的氧化态为+5,所以砷酸盐的系统命名作砷(V)酸盐。由于砷和磷都属于元素周期表的第五族,且砷酸盐和磷酸盐的氧化态都是+5,所以砷酸盐和磷酸盐的化学性质甚为相似。砷酸盐是中等强...
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- 高毒类。大鼠经口LDso:15.Img/kgl小鼠经口LDso:39.4mg/kg。家兔经眼50ug(24h).有重度刺激。家兔经皮5mg(24h),有重度刺激。对人的致死量约0.06g。主要影响神经系统和毛细血管通透性,对皮肤和黏膜有刺激作用。避免与氧化剂、酸类、卤素接触。贮存于阴凉、通风的库房。远离火种...
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- 砷可以点燃,且单质砷熔点817℃(28大气压),加热到613℃,便可不经液态,直接升华,成为蒸气,砷蒸气具有一股难闻的大蒜臭味。如果使砷蒸气在360℃以上晶析时,可得到六方晶型α-砷(灰色金属状,相对密度5.72)在300℃以下蒸镀时,就得到玻璃状β-砷(灰或黑色,相对密度4.73)。将砷蒸气骤冷可得到正...
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