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pecvd工序高温危险源有哪些
  • pecvd工序高温危险源有哪些

  • •&nbsp危险特性:易燃,与空气混合能形成爆炸性混合物,遇明火、高热能引起燃烧、爆炸,与氟、氯等接触会发生剧烈的化学反应,若遇高热,容器内压增大,有开裂和爆炸的危险。危险类别:易燃易爆预防措施:不要在VMB附近逗留或倚靠,更不允许私自打开柜子应急处理:发生SiH4泄漏时,及时疏散车间...
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ald工艺和pecvd工艺的对比
  • ald工艺和pecvd工艺的对比

  • ALD工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成最薄、最均匀的薄膜。工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力,是其成为微缩与3D技术推动因素的基础。自限式表面反应让原子级沉积控制成为可能:薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数。表面控制会使薄...
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