![氮化硅点火棒需要绝缘吗]( "氮化硅点火棒需要绝缘吗")
- 不需要，氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀同时又是一种高...
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![氧化硅和氮化硅哪种更好]( "氧化硅和氮化硅哪种更好")
- 氮化硅更好。氮化硅膜与氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业。氮化硅是一种无机物，化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，...
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![氮化硅陶瓷工艺流程]( "氮化硅陶瓷工艺流程")
- 工艺流程一般由原料处理、粉体合成、粉料处理、成形、生坯处理，烧结和陶瓷体处理等环节组成。氮化硅陶瓷制备工艺的类型主要是按合成、成型和烧结的不同方法和次序区分的...
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![氮化硅陶瓷是有机材料吗]( "氮化硅陶瓷是有机材料吗")
- 不是，碳化硅陶瓷是无机材料。氮化硅陶瓷是一种无机材料，化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。...
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![氮化硅在机械密封中的运用]( "氮化硅在机械密封中的运用")
- 氮化硅陶瓷在机械工业中可用作涡轮叶片、机械密封环、高温轴承、高速刀具、永久模具等。传统机械行业的很多设备都使用金属材料。机械密封是离心泵或其它回转式机械上采用的一种新型装置。它与历来采用的软填料密封比较，有着密封性能好，寿命长，消耗功率少等优点，应用机械密封...
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![氮化硅与氮氧化硅哪个致密性好]( "氮化硅与氮氧化硅哪个致密性好")
- 氮化硅更好。氮化硅膜与氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点，故氮化硅膜可用于半导体工业。氮化硅是一种无机物，化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，...
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![磷酸与氮化硅反应方程式]( "磷酸与氮化硅反应方程式")
- 不反应，无方程式。氮化硅，化学式Si3N4。白色粉状晶体氮化硅与水几乎不发生作用在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅，熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。1285℃时氮化硅与二氮化三钙Ca3N2发生以下反应...
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![氮化硅结构式]( "氮化硅结构式")
- 氮化硅是一种无机物，化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承...
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![氮化硅导电吗]( "氮化硅导电吗")
- 答案是否定的，不导电的氮化硅用做高级耐火材料，如与sic结合作SI3N4-SIC耐火材料用于高炉炉身等部位如与BN结合作SI3N4-BN材料，用于水平连铸分离环。SI3N4-BN系水平连铸分离环是一种细结构陶瓷材料，结构均匀，具有高的机械强度。耐热冲击性好，又不会被钢液湿润，符合连铸的工艺要求...
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![高温磷酸去除氮化硅原理]( "高温磷酸去除氮化硅原理")
-    高温磷酸去除氮化硅原理：用热磷酸湿法刻蚀法去除氮化硅。   将８５％浓磷酸和１５％去离子水（ＤＩＷ）配成并保持在１６０℃的温度下混合液体进行刻蚀，热磷酸刻蚀之后的芯片一般采用对镀膜后的硅片进行热去离子水清洗除膜，从而去除氮化硅。...
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![氮化硅加热塞原理]( "氮化硅加热塞原理")
- 原理：氮化硅电热塞极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀同时又是一种高性能电绝缘材料。...
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![氮化硅阿尔法结构的性能]( "氮化硅阿尔法结构的性能")
- 阿尔法氮化硅有硅粉氮化和燃烧合成两种工艺合成的阿尔法氮化硅粉体。由于燃烧合成工艺制备的阿尔法氮化硅粉体是在较低的温度下合成的，并经历了快速的升降温过程，因此具有较高的烧结。阿尔法氮化硅，在制备赛隆陶瓷制品时，可以直接将阿尔法赛隆粉体作为原料。这样可以减少烧结...
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![氮化镓和硅基区别]( "氮化镓和硅基区别")
- 这两种材料的区别如下：(1)物质不同：氮化镓是一种非金属氮化物。然而，硅基是一种二氧化硅材料。(2)分子量不同：氮化镓的分子量大，然而，硅基的分子量较小。(3)用途不同：氮化镓是半导体材料，然而，硅基则是晶体管基体材料。区别在于：硅基的氮化镓比碳基的氮化镓在线性度上有不同的显现，...
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![氮化铝碳化硅区别]( "氮化铝碳化硅区别")
- 氮化铝与碳化硅是两种不同的无机化合物。氮化铝，共价键化合物，化学式为AIN，是共价晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色。碳化硅化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅...
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![充电器是氮化镓好还是超级硅好]( "充电器是氮化镓好还是超级硅好")
- 超级硅好。超级硅系列采用成熟的硅基材料，与GaN特殊的材料和生产工艺相比具有巨大的成本优势。尤其在消费领域，如：手机通讯类、电子产品适配器的应用，器件成本大概为同等规格GaN器件25-50%，同时驱动超级硅功率器件的控制芯片可选择性广泛，更避免了GaN驱动复杂的设计导致额外系...
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![离子氮化和气体氮化区别]( "离子氮化和气体氮化区别")
- 区别:（1）二者都涉及到四要素，即工件表面洁净度，氮化温度，氨的分解率，渗氮保温时间。但在以上相同四点的各点上，有一定的区别，而且因其特异性，在操作上有一些形式的不同，尤其防渗方法存在较大的不同。（2）清洗工件，与气体氮化大体相同，但对于工件交检质量不构成威胁，如果清洗的好，可大大缩...
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![硅的氮化反应]( "硅的氮化反应")
- 工业：高纯度硅与纯氮气在1300度反应3Si+2N2=Si3N4.也可以用化学气相沉积法，在H2的保护下，使SiCl4与N2反应生成的Si3N4沉积在石墨表面，形成一层致密的Si3N4层。3SiCl4+2N2+6H2=Si3N4+12HCl...
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![聚硅氮烷和聚硅氧烷对比]( "聚硅氮烷和聚硅氧烷对比")
- 二者的主要区别如下：第一、二者的化学结构都不一样：其中聚硅氮烷是一类主链以硅氮键为重复单元的无机聚合物而聚硅氧烷则是一类以重复的硅氧键为主链，硅原子上直接连接有机基团的聚合物。第二、二者的主要功能用途不一样：其中聚硅氮烷主要用于Si3N4或者Si-C-N陶瓷前驱体，所以...
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![二氧化氮会和硅酸钠反应吗]( "二氧化氮会和硅酸钠反应吗")
- 二者不反应。二氧化氮（NO2）为非金属氧化物，硅酸钠（Na2SiO3）为盐，二者都是化合物，在化合物之间发生的是复分解反应。可是非金属氧化物只与碱发生复分解反应，生成物为盐和水。而硅酸钠为盐它只与酸，碱及盐发生复分解，且二者若反应也无法产生沉淀，气体或水这三者之一来满足复分解反应发...
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![硝态氮还是硝化氮]( "硝态氮还是硝化氮")
- 是硝态氮。硝态氮是指硝酸盐中所含有的氮元素。水和土壤中的有机物分解生成铵盐，被氧化后变为硝态氮。以硝态氮为主，再加上亚硝（酸盐）态氮、氨态氮和有机态氮总称之为总氮或全（态）氮。有些国家的水质标准中，对湖水水质已制定了全氮的标准。如日本规定上水的硝态氮或亚硝态（酸盐）氮...
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![氮磷硅原子半径]( "氮磷硅原子半径")
- N是第二周期元素，原子半径最小，P、Si、Mg是第三周期元素，同周期元素原子序数越大，原子半径越小，磷小于硅小于镁。原子半径有小到大顺序为N、P、Si、Mg。磷与氮同主族，但电子层数多，故原子半径P＞N，磷与硫、硅同周期且在硫前，在硅后，所以其半径应为S＜P＜Si。...
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![硅和氮的最简单氢氧化物是什么]( "硅和氮的最简单氢氧化物是什么")
- 硅和氮没有氢氧化物。氢氧化物是指金属阳离子或铵根离子与氢氧原子团（—OH）形成的无机化合物，也叫作碱，是金属元素（包括铵）的氢氧化物。可用通式M（OH）n表示。对于非金属氢氧化物，一般不称其为氢氧化物，但一水合氨（又称氢氧化铵（NH3·H2O）例外，它的水溶液呈弱碱性。硅的氢化物SiH4，氧化物...
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![氮化镓与碳化硅优劣势]( "氮化镓与碳化硅优劣势")
- 碳化硅与氮化镓的优劣势是：1、性能方面：具体而言，SiC器件可以承受更高的电压，最高可达1200VGaN器件的工作电压和功率密度则低于SiC。同时，由于GaN器件的关断时间几乎为零（与50V/s的SiMOSFET相比，高电子迁移率使GaN的dV/dt大于100V/s），因此可在高频段提供前所未有的效率和性能。但...
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![软氮化与硬氮化的区别]( "软氮化与硬氮化的区别")
- 软氮化就是氮碳共渗，这并不是单一的渗碳或者氮化，而是渗N为主，并兼有渗C的一个表面处理工艺。软氮化的温度比渗碳低，但比氮化高，一般在570度左右。而且不同于渗碳后需要重新加热淬火，而是保温后直接淬火，节约了一道加热工序。硬化层深度相当于渗碳，高于氮化。具有二者的优点，比单...
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![硅基氮化镓外延片是什么]( "硅基氮化镓外延片是什么")
- 硅基氮化镓外延片是指在蓝宝石、硅、氮化硅和氮化镓等衬底上进行氮化镓外延。氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料之一，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性，是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料...
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