半导体镀金工艺流程

1)闭合清洗剂液槽，恒温后确认清洗剂液槽液温为60±5℃

2)闭合本镀金槽加热器电源，给相应药液升温确认本镀液槽液温为60～65℃闭合电镀用电源

3)将待镀金硅叠装上专用夹具

4)脱脂：确认清洗剂液槽液温为60±5℃，将夹具置于清洗剂中浸泡5±1min

5)水洗：将夹具在纯水槽中冲洗25s，并用手不断上下摆动夹具

6)酸洗：将夹具在盐酸槽中浸泡60±5s

7)水洗：将夹具置于纯水槽中冲洗25s

8)预镀：将夹具置于预镀液槽中，电镀25s控制电镀电源电压为3.35±0.01v

9)本镀：确认本镀液槽液温为60～65℃，将夹具置于本镀槽中，本镀2.0±0.5min，调整电镀电源电流为0.6±0.1a，电镀电压不定

10)后处理：将夹具依次转入两级水洗槽中，每级水槽各清洗25s

11)脱水干燥：将夹具转入甲醇槽，浸泡60s然后置于红外线烘箱中，干燥5min。